仪器介绍
主要功能：专用于2.5D / 3D先进封装领域，适用于高深宽比TSV硅深孔刻蚀和去光刻胶。
核心参数：
1. 样品尺寸：最大兼容8英寸；
2. ICP源：高效ICP源产生大量中性活性基团，配合下游式结构隔绝离子热效应，实现高密度自由基驱动的低损伤化学去胶，去胶温度< 150 °C；
3. 刻蚀速率：> 10 μm / min；
4. 侧壁粗糙度：< 20 nm；
5. 选择比：( Si : PR ) > 120 : 1 , ( Si : SiO₂ ) > 120 : 1；
6. 超高深宽比刻蚀能力：AR ( TSV ) > 60 : 1；
7. 垂直度：90° ± 1.5°；
8. 非均匀性：< 3 %（ 6英寸，去边5 mm）。
放置地点：
深圳大学射频异质异构集成全国重点实验室，粤海校区汇研楼负一楼。
平台咨询邮箱：pphi@szu.edu.cn 联系地址：深圳大学粤海校区汇研楼2010室
