仪器介绍
主要功能：专用于2.5D / 3D先进封装领域，适用于高深宽比TSV和TGV垂直互连孔壁功能层（ SiO2、TiN、Cu ）沉积。
核心参数：
1. 样品尺寸：最大兼容 8 英寸；
2. 工艺腔：3 个，可进行等离子体原位清洗；
3. 沉积速率：SiO₂ ＞ 200 nm/min； TiN > 1.5 nm/min； Cu > 10 nm/min；FAST沉积速率相比ALD提高5 ~ 10倍；
4. 侧壁/底角台阶覆盖率：> 80 %；
5. 超高深宽比：AR ( TSV ) > 15 : 1；
6. 亚微米孔径：TSV / TGV 孔径覆盖 0.5 μm ；
7. 非均匀性：≤ 5%（ 6英寸，去边 5 mm）；
8. 低 Cu 膜电阻率：< 5 μΩ·cm。
放置地点：
深圳大学射频异质异构集成全国重点实验室，粤海校区汇研楼负一楼。
平台咨询邮箱：pphi@szu.edu.cn 联系地址：深圳大学粤海校区汇研楼2010室
