仪器介绍
主要功能：专用于SiO2、PI、BCB、ABF等介质材料的刻蚀工艺。
核心参数：
1. 样品尺寸：最大兼容 8 英寸；
2. ICP 源：离子密度高达 1×10¹² cm-3，离子能量低至 10 eV；
3. 电极温控精度：±1 °C；
4. SiO₂刻蚀速率：≥ 200 nm / min，选择比 (光刻胶) ≥ 2 : 1；
5. LiNbO₃刻蚀速率：≥ 30 nm / min，选择比 ( Cr ) ≥ 4 : 1；
6. PI/BCB刻蚀速率：≥ 500 nm / min；
7. 非均匀性：≤ 4% ( 6 英寸 )。
放置地点：
深圳大学射频异质异构集成全国重点实验室，粤海校区汇研楼负一楼。
平台咨询邮箱：pphi@szu.edu.cn 联系地址：深圳大学粤海校区汇研楼2010室
