仪器介绍：
主要功能：用于半导体GaN及AlN系列外延芯片生长。
核心参数：
1. 样品尺寸：兼容 2 / 4 英寸；
2. 应用领域：蓝绿激光器、LED、功率器件、射频器件；
3. 温度区间：生长温度区间范围覆盖 500 °C ~ 1400 °C；
4. 压力区间：生长压力区间范围 500 mbar ~ 1030 mbar；
5. 生长速率：最高可达 5 μm / h；
6. 生长材料：可生长良好的 AlN、AlGaN、AlInN、GaN、InGaN；
7. 超低杂质浓度：C和O杂质接近SIMS的检测下限；
8. 非均匀性：≤ 2 %（ 4英寸，去边2mm ）。
放置地点：
深圳大学大学射频异质异构集成全国重点实验室，粤海校区汇研楼负一楼。
平台咨询邮箱：pphi@szu.edu.cn 联系地址：深圳大学粤海校区汇研楼2010室
