仪器介绍：
主要功能：用于TSV、RDL、Bump等电镀工艺，制备Cu、Ni、Au和Sn - Ag电镀层。
核心参数：
1. 样品尺寸：最大兼容8英寸；
2. TSV填孔能力：TSV 孔径 ≤ 3 μm，深宽比 ≥ 15:1；
3. RDL线宽/线距：线宽/线距 ≥ 2 / 2 μm；
4. 预浸真空度：真空度 ≤ - 98 kPa；
5. 填充均匀性：TSV 镀铜均匀性 ≥ 95 %；镀镍均匀性 ≥ 97 %；镀锡银均匀性 ≥ 97 %；RDL / pillar 镀铜均匀性 ≥ 97 %；
6. 电流精度控制：独立电流控制精确 0.001 A。
放置地点：
深圳大学射频异质异构集成全国重点实验室，粤海校区汇研楼负一楼。
平台咨询邮箱：pphi@szu.edu.cn 联系地址：深圳大学粤海校区汇研楼2010室
