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晶圆减薄设备

来源:   时间:2026-07-14  浏览量:

仪器介绍:

主要功能:将完成电路制造的晶圆从原始厚度精密研磨至目标厚度(数十至数百微米),以满足芯片轻薄化、小型化及散热优化的封装需求。

核心参数:

1. 适用晶圆尺寸:最大兼容8英寸;

2. TTV ≤ 2 μm;

3. WTW ± 2 μm;

4. 厚度测量范围:0 ~ 1800 μm;

5. 厚度测量重复精度:≤ 0.25 μm;

6. 最小加工厚度:≤ 50 μm;

7. 最大磨削晶圆厚度:≥ 2000 μm。

放置地点:

深圳大学射频异质异构集成全国重点实验室,粤海校区汇研楼负一楼。


平台咨询邮箱:pphi@szu.edu.cn   联系地址:深圳大学粤海校区汇研楼2010室




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