仪器介绍：
主要功能：用于晶圆上Cu 种子层、Ti 阻挡层 / 种子层的图形化精准湿法刻蚀，实现分层刻蚀、低侧蚀、无金属残留。
核心参数：
1. 适用晶圆尺寸：兼容4 / 6 / 8 英寸；
2. 双刻蚀单元：Cu 刻蚀腔，Ti 刻蚀腔；
3. 刻蚀温度：25 ℃ ~ 80 ℃；
4. 刻蚀速度：Cu 最小可达 10 nm/min，Ti 最小可达 30 nm/min；
5. 刻蚀均匀性：Cu ± 3% @ 8 inch；
6. RDL 线宽线距：2 μm / 2 μm；
7. 颗粒控制：新增 ≤ 20 ea @ 0.16 μm。
放置地点：
深圳大学射频异质异构集成全国重点实验室，粤海校区汇研楼负一楼。
平台咨询邮箱：pphi@szu.edu.cn 联系地址：深圳大学粤海校区汇研楼2010室
