仪器介绍：
主要功能：用于半导体光刻、LED 芯片、微流控芯片等多领域，设备全封闭结构并配备专用设计软件，可实现高精度、无掩膜版光刻制程。
核心参数：
1. 样品尺寸：最大支持 9 寸方片；
2. 光源：405 nm、375 nm 激光；支持 300 nm / 600 nm / 900 nm / 5 μm 四种书写分辨率；
3. 最小线宽：≤ 0.3 μm；
4. 最小光栅周期：≤ 600 nm；
5. 线宽均匀性（ 3σ ）：≤ 50 nm@ 300nm束斑；
6. 直写速度：≥ 1.4 mm²/ min@ 300nm束斑；≥ 43 mm²/min@ 5 μm束斑；
7. 正面对准精度：≤ 0.25 μm；
8. 支持 4096 灰阶光刻。
放置地点：
深圳大学射频异质异构集成全国重点实验室，粤海校区汇研楼负一楼。
平台咨询邮箱：pphi@szu.edu.cn 联系地址：深圳大学粤海校区汇研楼2010室
