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D2W激光辅助键合设备

来源:   时间:2026-07-14  浏览量:

仪器介绍:

主要功能:采用高能量红外激光作为热源的键合技术,解决传统回流焊对超薄、细间距、大面积芯片造成的损坏或翘曲,广泛应用于2.5D / 3D先进封装、FCBGA / Chiplet等 D2D / D2W 键合。

核心参数:

1. 芯片尺寸:最大支持 70 × 70 mm;

2. 基板尺寸:最大兼容 12 英寸;

3. 温升速率:最高 1000 °C / s,键合时间 0.1 s ~ 5 s;

4. 贴装精度:AI 自动识别标记,键合精度 ± 2 μm;

5. 激光波长:976 nm,光束均匀性 ≥ 95 %;

6. 压力范围:0.1 N ~ 300 N。

放置地点:

深圳大学射频异质异构集成全国重点实验室,粤海校区汇研楼负一楼。


平台咨询邮箱:pphi@szu.edu.cn   联系地址:深圳大学粤海校区汇研楼2010室


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版权所有:射频异质异构集成全国重点实验室